Η Samsung είναι έτοιμη να κατασκευάσει SoCs με transistors που χρησιμοποιούν την σχεδίαση FinFET (παρόμοια με την 3D Tri-Gate της Intel) με μέγεθος 14nm. Τα πρώτα, δοκιμαστικά, chips βασίζονται στον πυρήνα Cortex-A7 της ARM.
Παρ, 21/12/2012 - 14:09 — z3et
Δείτε ακόμη...
- H ARM σε συνεργασία με την TSMC θα κατασκευάσει επεξεργαστές αρχιτεκτονικής ARMv8 64bit με transistors σε διάταξη FinFET (παρόμοια με την Tri-Gate 3D της Intel) για μεγέθη από 20nm και κάτω.
- 3D σε τηλεοράσεις, 3D σε κινητά (αμέ!), 3D σε κινηματογραφους, παιχνιδοκονσόλες κλπ κλπ. Πλέον όμως, το 3D πήγε και αλλού, όχι όμως με ίδια μορφή. 3-D Tri-Gate η "νεα" τεχνολογία των transistors που θα χρησιμοποιήσει η Intel στους IvyBridge επεξεργαστές.
- Samsung και GlobalFoundries προχωρούν σε συνεργασία για την διάθεση της τεχνολογίας FinFET των 14nm
- Η GlobalFoundries φαίνεται πως ετοιμάζεται πυρετωδώς για το πέρασμα από τα 40nm και 32nm στα 28nm μέσα στο 2012. Ήδη παράχθηκαν τα πρώτα, δοκιμαστικά, wafers των 300mm.
Είσοδος
Συζητήσεις
- 1 of 554
- ››
Αξιολογούμε χρησιμοποιώντας διάφορα benchmarks, τη κορυφαία single-GPU λύση της AMD, Radeon R9 290 σε μία υλοποίηση της Sapphire με την ονομασία Sapphire Vapor-X R9 290X Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε μία νέα κάρτα γραφικών που βασίζεται στην GPU της AMD, Radeon R9 290 και προέρχεται από τη Sapphire. Πρόκειται για τη Sapphire Vapor-X R9 290 Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε το νέο Sony Xperia Z2, τη ναυαρχίδα της Ιαπωνικής εταιρείας στη κατηγορία των smartphones, για το 1ο εξάμηνο του 2014
Πρώτη επαφή με το motherboard της ASRock, Z97 Killer και τον νέο επεξεργαστή Intel Pentium G3258 Anniversary Edition
Bits & Bytes
-
πριν 10 έτη 19 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 43 εβδομάδες
-
πριν 11 έτη 37 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 6 ημέρες
-
πριν 12 έτη 8 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 20 εβδομάδες
