DDR4 DRAM αρθρώματα μνήμης ανέπτυξε η Hynix

Η εταιρεία Hynix Semiconductor Inc. ανακοίνωσε ότι ανέπτυξε αθρώματα μνήμης που του τύπου ECC-SODIMM (Error Check & Correction-Small Outline Dual In-line Memory Module) τεχνολογίας DDR4 DRAM.

Χάρη στην τεχνολογία ολοκλήρωσης 30nm η Hynix ανέπτυξε 2Gb DDR4 DRAM και αρθρώματα μνήμης 2GB ECC-SODIMM DDR4 DRAM που ακολουθούν τις προδιαγραφές JETEC. Η μνήμη τύπου DDR4 DRAM αποτελεί νέας γενιάς μνήμη που καταναλώνει λιγότερα ποσά ενέργειας ενώ επιπλέον είναι δύο φορές ταχύτερη από την υπάρχουσε DDR3 DRAM μνήμη.

Τρέχει με ταχύτητα 2400Mbps, και άρα είναι 80% ταχύτερη από τη μνήμη DDR3-1333. Τα αρθρώματα μνήμης που κατασκευάσε η Hynix λειτουργούν με τάση 1.2V και μπορεί να επεξεργάζεται ποσότητες δεδομένων έως και 19,2GB το δευτερόλεπτο με 64-bit I/O.

Η εταιρεία Hynix αναμένεται να ξεκινήσει την μαζική παραγωγή του επόμενης γενιάς τύπου μνήμης το δεύτερο μισό του 2012. Σύμφωνα με προβλέψεις, το ποσοστό στην αγορά που θα κατέχουν οι μνήμες DDR4 DRAM το 2013 θα είναι 5% ωστόσο έως το 2015 θα έχει γίνει "mainstream" αφού θα φτάνει σε ποσοστό το 50%. To 2012 το ποσοστό της μνήμης DDR3 DRAM θα αγγίξει σε ποσοστό το 71% της αγοράς προτού πέσει στο 49% το 2014.