Samsung και GlobalFoundries προχωρούν σε συνεργασία για την διάθεση της τεχνολογίας FinFET των 14nm
Η Samsung προχώρησε σε στρατηγικής σημασίας συνεργασία με την GlobalFoundries, τον τέταρτο μεγαλύτερο κατασκευαστή ημιαγωγών παγκοσμίως. Ως στόχος της συνεργασίας είναι η περαιτέρω ανάπτυξη της λιθογραφικής ολοκλήρωσης των 14nm τεχνολογίας FinFET (3D transistor).
Η τεχνολογία έχει αναπτυχθεί από την Samsung και η GlobalFoundries θα αναλάβει ένα μεγάλο μέρος της κατασκευής τσιπ που θα βασίζονται στην εν λόγω τεχνολογία. H πρώτη εφαρμογή θα γίνει σε SoCs (System on Chip) και σε σχέση με την υπάρχουσα τεχνολογία των 20nm, τα 14nm FinFET θα προσδίδουν 20% υψηλότερες επιδόσεις με 35% λιγότερη κατανάλωση και θα καταλαμβάνει 15% λιγότερο χώρο.
Μια από τις εταιρίες που αναμένεται να επωφεληθούν άμεσα από αυτή την κίνηση είναι η AMD, η οποία συνεργάζεται στενά με την GlobalFoundries. Η Lisa Su, ανώτερη Αντιπρόεδρος και Γενικός Διευθυντής του τμήματος Global Business της AMD, δήλωσε: "Η συνεργασία της Global Foundries με την Samsung θα βοηθήσει την AMD να πραγματοποιήσει τα σχέδιά της για τις επερχόμενες συσκευές που θα καλύπτουν όλες τις πτυχές της αγοράς υπολογιστών."
Σύμφωνα με την Samsung, η τεχνολογία θα αυξήσει σημαντικά την λειτουργικότητα των τσιπς, θα μπορεί λόγου χάρη, να υπάρξει μεγαλύτερη χωρητικότητα στις μνήμες των επεξεργαστών (ειτε είναι λανθάνουσες τύπου cache είτε embedded όπως στα μελλοντικά SoCs). Η μαζική παραγωγή με τσιπς λιθογραφικής ολοκλήρωσης των 14nm FinFET αναμένεται να ξεκινήσει στα τέλη του 2014.
Δείτε ακόμη...
- Την μαζική παραγωγή chip των 20nm αναμένεται να ξεκινήσει η TSMC από το 1ο τρίμηνο του 2014. Ενώ, περί τα τέλη του επόμενου χρόνου θα ξεκινήσει η παραγωγή και για chips με transistors των 16nm τεχνολογίας FinFET (3D).
- H ARM σε συνεργασία με την TSMC θα κατασκευάσει επεξεργαστές αρχιτεκτονικής ARMv8 64bit με transistors σε διάταξη FinFET (παρόμοια με την Tri-Gate 3D της Intel) για μεγέθη από 20nm και κάτω.
- Η Samsung είναι έτοιμη να κατασκευάσει SoCs με transistors που χρησιμοποιούν την σχεδίαση FinFET (παρόμοια με την 3D Tri-Gate της Intel) με μέγεθος 14nm. Τα πρώτα, δοκιμαστικά, chips βασίζονται στον πυρήνα Cortex-A7 της ARM.
- Η IBM προχώρησε σε συνεργασία με την UMC (United Microelectronics Corporation) για την ανάπτυξη τεχνολογιών στην κατασκευή ημιαγωγών CMOS των 10nm όπως επίσης και την βελτιστοποίηση της παραγωγής των 14nm FinFET της UMC.
Είσοδος
Συζητήσεις
-
0 απαντήσεις
-
14 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 37 εβδομάδες
-
2 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 37 εβδομάδες
-
4 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 37 εβδομάδες
-
3 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 37 εβδομάδες
-
51 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 38 εβδομάδες
-
2 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 39 εβδομάδες
-
1 απάντηση, πριν 9 έτη 39 εβδομάδες
-
1 απάντηση, πριν 9 έτη 39 εβδομάδες
-
2 απαντήσεις, τελευταία πριν 9 έτη 39 εβδομάδες
Bits & Bytes
-
πριν 10 έτη 12 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 12 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 12 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 12 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 12 εβδομάδες