H Samsung κατασκεύασε τα πρώτα 4Gb memory chips!
Παρ, 30/01/2009 - 20:18 — voltmod
Η εταιρεία Samsung, σε πρόσφατη ανακοίνωση της έκανε γνωστό πως κατασκεύασε τα πρώτα 4 gigabit (Gb) DDR3 DRAM chips στον κόσμο χρησιμοποιώντας μέθοδο ολοκλήρωσης 50nm. Χάρη σε αυτά τα memory chips, η εταιρεία θα μπορεί να προσφέρει αρθρώματα μνήμης RDIMM (registered dual in-line memory modules) για servers μεγέθους 16GB όπως και 8GB unbuffered (UDIMM) memory modules (αρθρώματα μνήμης) για workstations και desktop PCs. Επιπλέον θα μπορεί να προσφέρει SODIMM (small outline DIMM) αρθρώματα μνήμης μεγέθους 8GB για φορητούς υπολογιστές.
Χρησιμοποιώντας dual-die τεχνολογία συσκευασίας (packaging), η τεχνολογία της Samsung μπορεί να προσφέρει αρθρώματα μνήμης με χωρητικότητα 32GB. Τα νέα 4Gb DDR3 chips της εταιρείας λειτουργούν με τάση 1,35V (20% χαμηλότερη από τα 1,5V των συμβατικών chips DDR3). Επιπλέον, ένα άρθρωμα μνήμης 16GB καταναλώνει 40% λιγότερη ενέργεια από τα προηγούμενης γενιάς 2Gb memory chips της εταιρείας.
Είσοδος
Συζητήσεις
- 1 of 554
- ››
Αξιολογούμε χρησιμοποιώντας διάφορα benchmarks, τη κορυφαία single-GPU λύση της AMD, Radeon R9 290 σε μία υλοποίηση της Sapphire με την ονομασία Sapphire Vapor-X R9 290X Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε μία νέα κάρτα γραφικών που βασίζεται στην GPU της AMD, Radeon R9 290 και προέρχεται από τη Sapphire. Πρόκειται για τη Sapphire Vapor-X R9 290 Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε το νέο Sony Xperia Z2, τη ναυαρχίδα της Ιαπωνικής εταιρείας στη κατηγορία των smartphones, για το 1ο εξάμηνο του 2014
Πρώτη επαφή με το motherboard της ASRock, Z97 Killer και τον νέο επεξεργαστή Intel Pentium G3258 Anniversary Edition
Bits & Bytes
-
πριν 11 έτη 18 εβδομάδες
-
πριν 11 έτη 23 εβδομάδες
-
πριν 11 έτη 31 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 8 ώρες
-
πριν 12 έτη 4 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 4 εβδομάδες
