Οι IBM και Micron ανακοίνωσαν την παραγωγή τρισδιάστατων τσιπ μνήμης!

Η εταιρεία IBM και η Micron Technology, ανακοίνωσαν  ότι θα ξεκινήσουν την παραγωγή ενός νέου τύπου μνήμης χρησιμοποιώντας την πρώτη εμπορική τεχνολογία κατασκευής CMOS, through-silicon vias (TSVs).

Χάρη στην τεχνολογία κατασκευής chip TSV της IBM, η Hybrid Memory Cube της Micron (HMC) επιτυγχάνει ταχύτητες 15 φορές υψηλότερες από την σημερινή τεχνολογία. Η Hybrid Memory Cube της Micron αποτελείται από μία στοίβα από επιμέρους chips που συνδέονται μεταξύ τους μέσω κάθετων αγωγών (vertical pipelines) ή αλλιώς "vias" (δείτε την σχετική εικόνα).

Η νέα 3-D κατασκευαστική μέθοδος της IBM, που χρησιμεύει για τις διασυνδέσεις στην τρισδιάστατη μικροδομή του νέου "κύβου μνήμης" της Micron θα αποτελέσει τη βάση για την μαζική παραγωγή του νέου τύπου μνήμης.

Τα HMC (Hybrid Memory Cube) θα κατασκευαστούν στο εργοστάσιο της IBM, στο East Fishkill της Νέας Υόρκης χρησιμοποιώντας κατασκευαστική μέθοδο high-K metal gate στα 32nm.

"Πρόκειται για ένα ορόσημο στην βιομηχανία η μετάβαση στην κατασκευή τρισδιάστατων ημιαγωγών" είπε ο Subu Iyer, IBM Fellow. "Η κατασκευαστική μέθοδος που δημιουργήσαμε θα εφαρμοστεί και σε άλλους τομείς, πέρα από την κατασκευή chip μνήμης. Σε μερικά χρόνια, η τεχνολογία των 3D chips θα χρησιμοποιείται σε όλο και περισσότερα καταναλωτικά προϊόντα και μπορούμε να περιμένουμε δραστικές βελτιώσεις σε τομείς όπως στην λειτουργικότητα και την αυτονομία της μπαταρίας των διάφορων συσκευών". 

Η IBM θα παρουσιάσει τις λεπτομέρειες της επαναστατικής κατασκευαστικής μεθόδου TSV στις 5 Δεκεμβρίου στο συνέδριο IEEE International Electron Devices Meeting, στην Ουάσιγκτον των ΗΠΑ.

Να θυμίσουμε πως και η Intel έχει ανακοινώσει εδώ και καιρό τα Tri-Gate τρανζίστορς που επίσης ακολουθούν 3D δομή στο εσωτερικό των μελλοντικών επεξεργαστών της. Πιθανόν, να δούμε την τεχνολογία της να εφαρμόζεται στα Ivy Bridge chip της, τον ερχόμενο Απρίλιο.