Η Samsung ξεκίνησε την μαζική παραγωγή 128Gb 3-bit MLC NAND flash chips στα 10nm!
Παρ, 12/04/2013 - 16:09 — voltmod
Η Samsung Electronic Co. ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε την παραγωγή 128Gb 3-bit MLC (Multi-Level Cell) NAND flash chips χρησιμοποιώντας κατασκευαστική μέθοδο 10nm!
Χάρη στην συγκεκριμένη κατασκευαστική μέθοδο, που μειώνει σημαντικά την επιφάνεια που καταλαμβάνουν τα chips και συνάμα την κατανάλωση και την έκλυση θερμότητας, θα επιτραπεί η κατασκευή σημαντικά μεγαλύτερων σε χωρητικότητα solid state drives (SSDs) ενώ επιπλέον θα επωφεληθούν και οι εφαρμογές embedded NAND.
Χρησιμοποιώντας 128Gb NAND flash μνήμη, η Samsung θα επεκτείνει την δυνατότητα παροχής καρτών μνήμης 128GB, οι οποίες μπορούν να χωρέσουν έως και δεκαέξι Full HD video αρχεία των 8GB. Η κορεάτικη εταιρεία επίσης, αναμένεται να παράγει μαζικά SSDs με χωρητικότητα άνω των 500GB.
Είσοδος
Συζητήσεις
- 1 of 554
- ››
Αξιολογούμε χρησιμοποιώντας διάφορα benchmarks, τη κορυφαία single-GPU λύση της AMD, Radeon R9 290 σε μία υλοποίηση της Sapphire με την ονομασία Sapphire Vapor-X R9 290X Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε μία νέα κάρτα γραφικών που βασίζεται στην GPU της AMD, Radeon R9 290 και προέρχεται από τη Sapphire. Πρόκειται για τη Sapphire Vapor-X R9 290 Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε το νέο Sony Xperia Z2, τη ναυαρχίδα της Ιαπωνικής εταιρείας στη κατηγορία των smartphones, για το 1ο εξάμηνο του 2014
Πρώτη επαφή με το motherboard της ASRock, Z97 Killer και τον νέο επεξεργαστή Intel Pentium G3258 Anniversary Edition
Bits & Bytes
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
(Δεν υπάρχει θέμα)
αχαχαχα... ναι ρε... έφτασε
αχαχαχα... ναι ρε... έφτασε τα 10nm! απίστευτη η Samsung