Ξεκίνησε η μαζική παραγωγή των DDR4 μνημών από την Samsung!
Παρ, 30/08/2013 - 17:12 — z3et
Με πληροφορίες που κατεύθασαν από την Νότιο Κορέα, η Samsung Electronics φαίνεται να έχει ξεκινήσει ήδη την μαζική παραγωγή των DDR4 τσιπ που θα εισάγει αρχικά, κυρίως, σε αρθώματα μνήμης και enterprice-oriented PCBs.
Η Samsung ξεκίνησε την παραγωγή της με της τεχνολογία ολοκλήρωσης των 20nm με τσιπς των 4Gb (Gigabit) δηλαδή των 512 MB έκαστο και με ταχύτητες που αγγίζουν τα 2,6 Gbps.
Αυτό μεταφράζεται ως αυξημένες επιδόσεις τουλάχιστον κατά 25% όπως επίσης και μειωμένη κατανάλωση κατά 30% με ένα αντίστοιχο τσιπ τεχνολογίας DDR3 των 20nm επίσης.
Αναλυτές κάνουν λόγο πως οι οι πρώτοι υπολογιστές (κυρίως servers) που θα φέρουν μνημη DDR4 θα κάνουν την εμφανισή τους όχι πριν το 2015. Πάντως, περί τα τέλη του 2014 αναμένουμε την πρώτη πλατφόρμα από την Intel (Haswell-E) που θα υποστηρίζει DDR4 αρθώματα μνήμης.
Δείτε ακόμη...
- Η Micron ξεκινάει την διάθεση των πρώτων μνημών τεχνολογίας DDR4
- Την μαζική παραγωγή chip των 20nm αναμένεται να ξεκινήσει η TSMC από το 1ο τρίμηνο του 2014. Ενώ, περί τα τέλη του επόμενου χρόνου θα ξεκινήσει η παραγωγή και για chips με transistors των 16nm τεχνολογίας FinFET (3D).
- Η Samsung ξεκίνησε την μαζική παραγωγή 128Gb 3-bit MLC NAND flash chips στα 10nm!
- Νέα σειρά αρθρωμάτων μνήμης XPG Gaming Series v2.0 από την A-DATA
Είσοδος
Συζητήσεις
- 1 of 554
- ››
Αξιολογούμε χρησιμοποιώντας διάφορα benchmarks, τη κορυφαία single-GPU λύση της AMD, Radeon R9 290 σε μία υλοποίηση της Sapphire με την ονομασία Sapphire Vapor-X R9 290X Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε μία νέα κάρτα γραφικών που βασίζεται στην GPU της AMD, Radeon R9 290 και προέρχεται από τη Sapphire. Πρόκειται για τη Sapphire Vapor-X R9 290 Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε το νέο Sony Xperia Z2, τη ναυαρχίδα της Ιαπωνικής εταιρείας στη κατηγορία των smartphones, για το 1ο εξάμηνο του 2014
Πρώτη επαφή με το motherboard της ASRock, Z97 Killer και τον νέο επεξεργαστή Intel Pentium G3258 Anniversary Edition
Bits & Bytes
-
πριν 11 έτη 25 εβδομάδες
-
πριν 11 έτη 30 εβδομάδες
-
πριν 11 έτη 38 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 7 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 12 εβδομάδες
-
πριν 12 έτη 12 εβδομάδες
