H ARM σε συνεργασία με την TSMC θα κατασκευάσει επεξεργαστές αρχιτεκτονικής ARMv8 64bit με transistors σε διάταξη FinFET (παρόμοια με την Tri-Gate 3D της Intel) για μεγέθη από 20nm και κάτω.
Δευ, 23/07/2012 - 16:58 — z3et
Δείτε ακόμη...
- Η Samsung είναι έτοιμη να κατασκευάσει SoCs με transistors που χρησιμοποιούν την σχεδίαση FinFET (παρόμοια με την 3D Tri-Gate της Intel) με μέγεθος 14nm. Τα πρώτα, δοκιμαστικά, chips βασίζονται στον πυρήνα Cortex-A7 της ARM.
- Την μαζική παραγωγή chip των 20nm αναμένεται να ξεκινήσει η TSMC από το 1ο τρίμηνο του 2014. Ενώ, περί τα τέλη του επόμενου χρόνου θα ξεκινήσει η παραγωγή και για chips με transistors των 16nm τεχνολογίας FinFET (3D).
- 3D σε τηλεοράσεις, 3D σε κινητά (αμέ!), 3D σε κινηματογραφους, παιχνιδοκονσόλες κλπ κλπ. Πλέον όμως, το 3D πήγε και αλλού, όχι όμως με ίδια μορφή. 3-D Tri-Gate η "νεα" τεχνολογία των transistors που θα χρησιμοποιήσει η Intel στους IvyBridge επεξεργαστές.
- Samsung και GlobalFoundries προχωρούν σε συνεργασία για την διάθεση της τεχνολογίας FinFET των 14nm
Είσοδος
Συζητήσεις
- 1 of 554
- ››
Αξιολογούμε χρησιμοποιώντας διάφορα benchmarks, τη κορυφαία single-GPU λύση της AMD, Radeon R9 290 σε μία υλοποίηση της Sapphire με την ονομασία Sapphire Vapor-X R9 290X Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε μία νέα κάρτα γραφικών που βασίζεται στην GPU της AMD, Radeon R9 290 και προέρχεται από τη Sapphire. Πρόκειται για τη Sapphire Vapor-X R9 290 Tri-X OC Version
Δοκιμάζουμε το νέο Sony Xperia Z2, τη ναυαρχίδα της Ιαπωνικής εταιρείας στη κατηγορία των smartphones, για το 1ο εξάμηνο του 2014
Πρώτη επαφή με το motherboard της ASRock, Z97 Killer και τον νέο επεξεργαστή Intel Pentium G3258 Anniversary Edition
Bits & Bytes
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 14 εβδομάδες
-
πριν 10 έτη 15 εβδομάδες
